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    2N6387 参数 Datasheet PDF下载

    2N6387图片预览
    型号： 2N6387
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅NPN功率晶体管 [Silicon NPN Power Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管开关局域网
    文件页数/大小： 3 页 / 46 K
    品牌： JMNIC [ QUANZHOU JINMEI ELECTRONIC CO.,LTD. ]
     浏览型号2N6387的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N6387的Datasheet PDF文件第3页  
    JMnic
    产品speci fi cation
    硅NPN功率晶体管
    特征
    除非另有说明， TJ = 25 ℃
    符号
    参数
    2N6386
    V
    CEO （ SUS ）
    集电极 - 发射极
    维持电压
    2N6387
    2N6388
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    2N6386
    2N6387/6388
    2N6386
    2N6387/6388
    2N6386
    2N6387/6388
    2N6386
    2N6387/6388
    2N6386
    I
    CBO
    集热器
    截止电流
    2N6387
    2N6388
    2N6386
    I
    首席执行官
    集热器
    截止电流
    2N6387
    2N6388
    I
    EBO
    发射极截止电流
    2N6386
    h
    FE-1
    直流电流增益
    2N6387/6388
    2N6386
    h
    FE-2
    直流电流增益
    2N6387/6388
    C
    ob
    输出电容
    I
    C
    = 10A ; V
    CE
    =3V
    I
    C
    = 5A ; V
    CE
    =3V
    I
    C
    = 8A ; V
    CE
    =3V
    I
    C
    = 3A ，我
    B
    =6mA
    I
    C
    = 0.2A ，我
    B
    =0
    2N6386 2N6387 2N6388
    条件
    民
    40
    60
    80
    典型值。
    最大
    单位
    V
    V
    CEsat-1
    2.0
    I
    C
    = 5A ，我
    B
    =10mA
    I
    C
    = 8A ，我
    B
    =80mA
    3.0
    I
    C
    = 10A ，我
    B
    =100mA
    I
    C
    = 3A ; V
    CE
    =3V
    2.8
    I
    C
    = 5A ; V
    CE
    =3V
    I
    C
    = 8A ; V
    CE
    =3V
    4.5
    I
    C
    = 10A ; V
    CE
    =3V
    V
    CB
    =40V, V
    BE
    =-1.5V
    T
    C
    =125℃
    V
    CB
    =60V, V
    BE
    =-1.5V
    T
    C
    =125℃
    V
    CB
    =80V, V
    BE
    =-1.5V
    T
    C
    =125℃
    V
    CE
    = 40V ，我
    B
    =0
    V
    CE
    = 60V ，我
    B
    =0
    V
    CE
    = 80V ，我
    B
    =0
    V
    EB
    = 5V ;我
    C
    =0
    I
    C
    = 3A ; V
    CE
    =3V
    1000
    20000
    5.0
    1.0
    0.3
    3.0
    0.3
    3.0
    0.3
    3.0
    V
    V
    CEsat-2
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    V
    V
    BE-1
    基射
    ON电压
    V
    V
    BE-2
    基射
    ON电压
    V
    mA
    mA
    mA
    100
    I
    E
    =0 ; V
    CB
    =10V,f=0.1MHz
    200
    pF
    热特性
    符号
    R
    第j个-C
    参数
    热阻结到外壳
    价值
    1.92
    单位
    ℃/W
    2

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