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2SA1012图片预览
型号: 2SA1012
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内容描述: 硅PNP晶体管 [Silicon PNP Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 111 K
品牌: JMNIC [ QUANZHOU JINMEI ELECTRONIC CO.,LTD. ]
   
功率晶体管
www.jmnic.com
2SA1012
硅PNP晶体管
特点
·带
的TO-220封装
·补充
为2SC2562
BCE
绝对最大额定值锝= 25
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
B
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
基极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
-5
25
150
-55~150
等级
-60
-50
-5
单位
V
V
V
A
A
W
TO-220
电气特性锝= 25
符号
I
CBO
I
EBO
I
首席执行官
V
CBO
V
( BR ) CEO
V
EBO
V
CE(sat-1)
V
CE(sat-2)
h
FE-1
h
FE-2
V
BE(sat)1
V
BE(sat)2
C
OB
f
T
参数
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
正向电流传输比
正向电流传输比
基射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极输出电容
过渡frepuency
V
CB
= -10V ;我
E
=0;f=1MHz
I
C
= -1A ; V
CE
=-4V
70
60
pF
兆赫
I
C
= -1A ; V
CE
=-1V
I
C
= -3A ; V
CE
=-1V
I
C
= -8A ;我
B
=-0.15A
70
30
-0.9
-1.2
V
240
I
C
= -8A ;我
B
=-0.15A
-0.2
-0.4
V
I
C
=-10mA;I
B
=0
-50
V
条件
V
CB
= -50V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
典型值
最大
-1
-1
单位
uA
uA