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    2SB1258 参数 Datasheet PDF下载

    2SB1258图片预览
    型号： 2SB1258
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅PNP功率晶体管 [Silicon PNP Power Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管开关局域网
    文件页数/大小： 3 页 / 42 K
    品牌： JMNIC [ QUANZHOU JINMEI ELECTRONIC CO.,LTD. ]
     浏览型号2SB1258的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SB1258的Datasheet PDF文件第3页  
    JMnic
    产品speci fi cation
    硅PNP功率晶体管
    特征
    除非另有说明， TJ = 25 ℃
    符号
    V
    （ BR ） CEO
    V
    CESAT
    V
    BESAT
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    f
    T
    C
    OB
    参数
    集电极 - 发射极击穿电压
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    跃迁频率
    集电极输出电容
    条件
    I
    C
    = -10mA ;我
    B
    =0
    I
    C
    = -3A ;我
    B
    =-6mA
    I
    C
    = -3A ;我
    B
    =-6mA
    V
    CB
    = -100V ;我
    E
    =0
    V
    EB
    = -6V ;我
    C
    =0
    I
    C
    = -3A ; V
    CE
    =-2V
    I
    E
    = 0.2A ; V
    CE
    =-12V
    I
    E
    = 0; F = 1MHz的; V
    CB
    =-10V
    1000
    民
    -100
    2SB1258
    典型值。
    最大
    单位
    V
    -1.5
    -2.0
    -10
    -10
    V
    V
    μA
    μA
    100
    100
    兆赫
    pF
    开关时间
    t
    on
    t
    s
    t
    f
    开启时间
    贮存时间
    下降时间
    I
    C
    = -3A ;我
    B1
    =-I
    B2
    =-6mA
    V
    CC
    = -30V ，R
    L
    =10Ω
    0.6
    1.6
    0.5
    μs
    μs
    μs
    2

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