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2SB903 参数 Datasheet PDF下载

2SB903图片预览
型号: 2SB903
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内容描述: 硅PNP功率晶体管 [Silicon PNP Power Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 105 K
品牌: JMNIC [ QUANZHOU JINMEI ELECTRONIC CO.,LTD. ]
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JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB903
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止offcurrent
发射极截止offcurrent
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= -1mA ;我
E
=0
I
C
= -1mA ; R
BE
=∞
I
E
= -1mA ;我
C
=0
I
C
= -5A ,我
B
=-0.25A
V
CB
=-40V;I
E
=0
V
EB
=-4V;I
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-2V
I
C
= -6A ; V
CE
=-2V
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
70
30
120
兆赫
-60
-30
-6
-0.5
-0.1
-0.1
280
典型值
最大
单位
V
V
V
V
mA
mA
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= -5A ,我
B1
=-I
B2
=-0.5A;
V
CC
=-10V;R
L
=2Ω
0.10
0.30
0.03
μs
μs
μs
h
FE-1
分类
Q
70-140
R
100-200
S
140-280
2