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    2SC2371 参数 Datasheet PDF下载

    2SC2371图片预览
    型号： 2SC2371
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅NPN功率晶体管 [Silicon NPN Power Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 42 K
    品牌： JMNIC [ QUANZHOU JINMEI ELECTRONIC CO.,LTD. ]
     浏览型号2SC2371的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SC2371的Datasheet PDF文件第3页  
    JMnic
    产品speci fi cation
    硅NPN功率晶体管
    特征
    除非另有说明， TJ = 25 ℃
    符号
    参数
    条件
    民
    典型值。
    2SC2371
    最大
    单位
    V
    CESAT
    集电极 - 发射极饱和电压
    I
    C
    = 30毫安，我
    B
    = 3M公司
    1.5
    V
    V
    BE
    基射极电压上
    I
    C
    = 10毫安; V
    CE
    =10V
    1.2
    V
    V
    （ BR ） CBO
    集电极 - 基极击穿电压
    I
    C
    =100μA;I
    E
    =0
    300
    V
    V
    （ BR ） CEO
    集电极 - 发射极击穿电压
    I
    C
    = 1毫安;我
    B
    =0
    300
    V
    V
    （ BR ） EBO
    发射极 - 基极击穿电压
    I
    E
    = 100μA ;我
    C
    =0
    6
    V
    h
    FE
    直流电流增益
    I
    C
    = 10毫安; V
    CE
    =10V
    40
    250
    μA
    I
    CBO
    集电极截止电流
    V
    CB
    = 200V ;我
    E
    =0
    0.1
    I
    EBO
    发射极截止电流
    V
    EB
    = 4V ;我
    C
    =0
    0.1
    μA
    C
    OB
    输出电容
    I
    E
    =0; V
    CB
    =30V;f=1MHz
    3
    pF
    f
    T
    跃迁频率
    I
    E
    = 10毫安; V
    CB
    =30V
    50
    兆赫
    2

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