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型号: 2SC4278
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内容描述: 硅NPN晶体管 [Silicon NPN Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管放大器局域网
文件页数/大小: 1 页 / 113 K
品牌: JMNIC [ QUANZHOU JINMEI ELECTRONIC CO.,LTD. ]
   
功率晶体管
www.jmnic.com
2SC4278
硅NPN晶体管
B
C
E
特点
与TO- 247封装
补充型2SA1633
绝对最大额定值锝= 25
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
CER
V
EB
I
B
I
C
P
D
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
发射器基极电压
基极电流
集电极电流连续
总功率耗散@ TC = 25
减免上述25
结温
储存温度
10
100
150
-65~150
A
W
W/
5
V
等级
150
150
单位
V
V
TO-247
电气特性锝= 25
符号
V
CEO ( SUS )
V
CBO
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
V
EBO
V
CE(sat-1)
V
CE(sat-2)
V
CE(sat-3)
V
CE(sat-4)
h
FE-1
h
FE-2
V
BE ( SAT )
f
T
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 基极电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
正向电流传输比
正向电流传输比
基射极饱和电压
电流增益带宽积
条件
I
C
= 30毫安;我
B
=0
I
C
= 1毫安;我
E
=0
V
CE
= 150V ;我
B
=0
V
CB
= 150V ;我
E
=0
I
E
= 5毫安;我
C
=0
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
150
150
最大
单位
V
V
500
100
uA
uA
5
2.0
V
V
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
60
320