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    2SC4369 参数 Datasheet PDF下载

    2SC4369图片预览
    型号： 2SC4369
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅NPN功率晶体管 [Silicon NPN Power Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 123 K
    品牌： JMNIC [ QUANZHOU JINMEI ELECTRONIC CO.,LTD. ]
     浏览型号2SC4369的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SC4369的Datasheet PDF文件第3页  
    JMnic
    产品speci fi cation
    硅NPN功率晶体管
    特征
    除非另有说明， TJ = 25 ℃
    符号
    参数
    条件
    民
    2SC4369
    典型值。
    最大
    单位
    V
    （ BR ） CEO
    集电极 - 发射极击穿电压
    I
    C
    = 10毫安;我
    B
    =0
    30
    V
    V
    CESAT
    集电极 - 发射极饱和电压
    I
    C
    = 2A ，我
    B
    =0.2A
    0.8
    V
    V
    BE
    基射极电压上
    I
    C
    = 0.5A ; V
    CE
    =2V
    1.0
    V
    I
    CBO
    集电极截止电流
    V
    CB
    = 20V ;我
    E
    =0
    1.0
    μA
    I
    EBO
    发射极截止电流
    V
    EB
    = 5V ;我
    C
    =0
    1.0
    μA
    h
    FE-1
    直流电流增益
    I
    C
    = 0.5A ; V
    CE
    =2V
    70
    240
    h
    FE-2
    直流电流增益
    I
    C
    = 2.5A ; V
    CE
    =2V
    25
    f
    T
    跃迁频率
    I
    C
    = 0.5A ; V
    CE
    =2V
    100
    兆赫
    h
    FE-1
    分类
    O
    70-140
    Y
    120-240
    2

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