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型号: BD897
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内容描述: 硅PNP晶体管 [Silicon PNP Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 111 K
品牌: JMNIC [ QUANZHOU JINMEI ELECTRONIC CO.,LTD. ]
   
功率晶体管
www.jmnic.com
BD897
硅PNP晶体管
特点
·带
的TO-220封装
·带
通用和放大器的应用
BCE
绝对最大额定值锝= 25
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
B
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
基地集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
8.0
70
150
-55~150
A
W
等级
60
60
5.0
单位
V
V
V
TO-220
电气特性锝= 25
符号
I
CBO
I
EBO
I
首席执行官
V
CBO
V
( BR ) CEO
V
EBO
V
CE(sat-1)
V
CE(sat-2)
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
V
BE(on)1
V
BE(on)2
f
T
C
ob
参数
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
正向电流传输比
正向电流传输比
正向电流传输比
基极 - 发射极上的电压
基极 - 发射极上的电压
过渡frepuency
输出电容
I
C
= 3A ; V
CE
=3V
2.5
V
I
C
= 3A ; V
CE
=3V
750
I
C
= 3A ;我
B
=12mA
2.5
V
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
60
V
条件
V
CB
= 60V ;我
E
=0
V
EB
= 5.0V ;我
C
=0
V
CE
= 60V ;我
B
=0
TYPE
最大
0.2
2.0
0.5
单位
mA
mA
mA