R
3DD4242D(T/I/M)
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
项
目
Parameter
符 号
Symbol
V
CES
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
P
C
P
C
T
j
T
stg
数 值
Value
700
400
9
1.5
3.0
1
10
20
150
-55~+150
单 �½�
Unit
V
V
V
A
A
W
W
W
℃
℃
绝对最大额定值
集电极—发射极直流电压
集电极—发射极直流电压
发射极—基极直流电压
最大集电极直流电流
最大集电极脉冲电流
最大集电极耗散功率
最大集电极耗散功率
最大集电极耗散功率
最高结温
贮存温度
Collector- Emitter Voltage（V
BE
=0）
Collector- Emitter Voltage（I
B
=0）
Emitter-Base Voltage
Collector Current（DC）
Collector Current（pulse）
Total Dissipation (TO-92)
Total Dissipation (TO-251)
Total Dissipation (TO-126)
Junction Temperature
Storage Temperature
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTIC
项
V
(BR)
CEO
V
(BR)
CBO
V
(BR)
EBO
I
CBO
I
CEO
I
EBO
hFE
V
CE(sat)
V
BE(sat)
t
f
ts
f
T
目
Parameter
测试条件
Tests conditions
Ic=10mA,I
B
=0
Ic=1mA,I
B
=0
I
E
=1mA,Ic=0
V
CB
=700V, I
E
=0
V
CE
=400V,I
B
=0
V
EB
=7V, I
C
=0
V
CE
=10V, I
C
=100mA
V
CE
=5V,
I
C
=0.5A,
I
C
=0.5A,
V
CC
=24V
I
C
=1.5A
I
B
=100mA
I
B
=100mA
I
C
=0.25A,I
B1
=-I
B2
=0.05A
最小值
Value(min)
典型值
470
800
16
-
-
-
20
7.0
0.2
0.9
-
-
-
最大值
-
-
-
5
10
5
30
-
0.8
1.2
0.7
5
-
Value(typ) Value(max)
单�½�
Unit
V
V
V
μA
μA
μA
-
-
V
V
μS
μS
MHz
400
700
9
-
-
-
10
3.0
-
-
-
-
4
V
CE
=10V, Ic=0.1A
热特性
THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
Parameter
符 号
Symbol
TO-92
TO-251/TO-252
TO-126
R
th(j-
a
)
R
th(j-c)
R
th(j-c)
最小值
最大值
Value(min) Value(max)
单 �½�
Unit
℃
/W
℃
/W
℃
/W
结到环境的热阻
TO-92
Thermal Resistance Junction Case
结到管壳的热阻
TO-251/TO-252
Thermal Resistance Junction Case
结到管壳的热阻
TO-126
Thermal Resistance Junction Case
-
-
-
125
12.5
6.25
版本：201103B
6/6
JSMC [ JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ]
