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3DD4242DT-O-T-B-A 参数 Datasheet PDF下载

3DD4242DT-O-T-B-A图片预览
型号: 3DD4242DT-O-T-B-A
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内容描述: 高压快速开关NPN功率晶体管 [HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体开关晶体管高压
文件页数/大小: 7 页 / 246 K
品牌: JSMC [ JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ]
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R
3DD4242D(T/I/M)  
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25)  
符 号  
数 值  
Value  
700  
400  
9
单 位  
Unit  
V
Parameter  
Symbol  
集电极发射极直流电压  
集电极发射极直流电压  
发射极基极直流电压  
最大集电极直流电流  
最大集电极脉冲电流  
最大集电极耗散功率  
最大集电极耗散功率  
最大集电极耗散功率  
最高结温  
Collector- Emitter VoltageVBE=0VCES  
Collector- Emitter VoltageIB=0)  
Emitter-Base Voltage  
VCEO  
VEBO  
IC  
V
V
Collector CurrentDC)  
Collector Currentpulse)  
Total Dissipation (TO-92)  
Total Dissipation (TO-251)  
Total Dissipation (TO-126)  
Junction Temperature  
1.5  
A
ICP  
PC  
3.0  
A
1
W
PC  
10  
W
PC  
20  
W
Tj  
150  
-55~+150  
贮存温度  
Storage Temperature  
Tstg  
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC  
测试条件  
最小值  
典型值  
最大值  
单位  
Unit  
V
Parameter  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Value(min) Value(typ) Value(max)  
Tests conditions  
Ic=10mA,IB=0  
400  
470  
800  
16  
-
-
-
Ic=1mA,IB=0  
700  
V
IE=1mA,Ic=0  
9
-
-
V
VCB=700V, IE=0  
VCE=400V,IB=0  
5
μA  
μA  
μA  
-
ICEO  
-
-
10  
5
IEBO  
VEB=7V, IC=0  
-
-
VCE=10V, IC=100mA  
VCE=5V, IC=1.5A  
IC=0.5A, IB=100mA  
IC=0.5A, IB=100mA  
10  
3.0  
-
20  
7.0  
0.2  
0.9  
-
30  
-
hFE  
-
VCE(sat)  
0.8  
1.2  
0.7  
5
V
VBE(sat)  
-
V
tf  
-
μS  
μS  
MHz  
VCC=24V IC=0.25A,IB1=-IB2=0.05A  
VCE=10V, Ic=0.1A  
ts  
fT  
-
-
4
-
-
热特THERMAL CHARACTERISTIC  
符 号  
最小值  
最大值  
单 位  
Parameter  
Value(min) Value(max)  
Symbol  
Unit  
结到环境的热TO-92  
Rth(j-a)  
Thermal Resistance Junction Case TO-92  
结到管壳的热TO-251/TO-252  
-
-
-
125  
12.5  
6.25  
/W  
/W  
/W  
Rth(j-c)  
Thermal Resistance Junction Case TO-251/TO-252  
结到管壳的热TO-126  
Rth(j-c)  
Thermal Resistance Junction Case TO-126  
版本:201103B  
6/6