R
3DD5032
ABSOLUTE RATINGS (Tc=25
℃
)
项
目
Parameter
绝对最大额定值
符 号
Symbol
数 值
Value
1500
600
6
8
16
4
50
150
-55~+150
单 �½�
Unit
V
V
V
A
A
W
集电极—基极直流电压
Collector−Base Voltage
集电极—发射极直流电压
Collector−Emitter Voltage
发射极—基极直流电压
Emitter−Base Voltage
最大集电极电流
Collector Current
最大基极直流电流
Base Current
最大集电极耗散功率
Collector Power Dissipation
最高结温
Max. Junction Temperature
储存温度
Storage temperature range
直流
DC
脉冲
Pulse
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
Tj
T
STG
℃
℃
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25℃)
项
目
Parameter
测试条件
Tests conditions
I
C
=1mA,I
E
=0
I
E
=400mA,I
C
=0
V
CB
=1500V, I
E
=0
V
EB
=4V, I
C
=0
V
CE
= 5 V, I
C
= 1 A
V
CE
= 5 V, I
C
= 5 A
I
C
=4.5A, I
B
=0.9A
I
C
=4.5A, I
B
=0.9A
I
F
=5A
I
C
=4.5A,2I
B1
=-I
B2
=1.8A
fH=15.75kHz
V
CE
=10V, I
C
=0.1A
最小值
Min
最大值
Max
单�½�
Unit
V
V
V(BR)
CBO
V(BR)
EBO
I
CBO
I
EBO
H
FE
V
CE(sat)
V
BE(sat)
-V
F
tf
ts
ft
1500
6
1
40
10
5
3
1.5
2
1
9
1.7
150
30
mA
mA
V
V
V
µs
µs
MHz
版本：200911G
2/7
JSMC [ JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ]
