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3DD5606 参数 Datasheet PDF下载

3DD5606图片预览
型号: 3DD5606
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内容描述: CASE-额定的双极型晶体管3DD5606低频功放 [CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR 3DD5606 FOR LOW FREQUENCY AMPLIFICATION]
分类和应用: 晶体双极型晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 173 K
品牌: JSMC [ JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ]
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R
3DD5606
ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
Parameter
绝对最大额定值
符 号
Symbol
数 值
Value
1600
800
9
6
10
3
60
150
-55~+150
单 ½
Unit
V
V
V
A
A
W
集电极—基极直流电压
Collector−Base Voltage
集电极—发射极直流电压
Collector−Emitter Voltage
发射极—基极直流电压
Emitter−Base Voltage
最大集电极电流
Collector Current
最大基极直流电流
Base Current
最大集电极耗散功率
Collector Power Dissipation
最高结温
Max. Junction Temperature
储存温度
Storage Temperature Range
直流
DC
脉冲
Pulse
BV
CES
BV
CEO
BV
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
Tj
T
STG
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25℃)
Parameter
测试条件
Tests conditions
I
C
=10mA,I
B
=0
I
C
=1mA,I
E
=0
I
E
=1mA,I
C
=0
V
CE
= 5V, I
C
= 1A
V
CE
= 5V, I
C
= 0.01A
I
C
=2A, I
B
=0.4A
I
C
=2A, I
B
=0.4A
I
C
=3A,2I
B1
=-I
B2
=1A
f
H
=15.75kHz
最小值
Min
最大值
Max
单½
Unit
V
V
V
-
-
V
V
μs
μs
V(BR)
CEO
V(BR)
CES
V(BR)
EBO
H
FE
V
CE(sat)
V
BE(sat)
t
f
t
s
800
1600
9
20
10
-
-
-
-
-
-
-
40
-
1.0
1.2
0.3
2
热特性
THERMAL CHARACTERISTIC
Parameter
符 号
Symbo
R
th(j-c)
最小值
min
最大值
max
单 ½
Unit
/W
结到管壳的热阻
TO-220
Thermal Resistance Junction CaseTO-220
-
2.08
版本:201012B
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