R
3DD5601(IUM)
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
项
目
符 号
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
数 值
Value
1400
700
单 位
Unit
V
Parameter
集电极—基极
Collector- Base Voltage
Collector- Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current（DC）
Collector Current（pulse）
Total Dissipation (TO-251/252)
Total Dissipation (TO-126)
Junction Temperature
Storage Temperature
集电极—发射极直流电压
发射极—基极直流电压
最大集电极直流电流
最大集电极脉冲电流
最大集电极耗散功率
最大集电极耗散功率
最高结温
V
6
V
1.0
A
ICP
2.0
A
PC
10
W
PC
20
W
Tj
150
℃
℃
贮存温度
Tstg
-55~+150
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC
项
目
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
Unit
V
Parameter
V(BR)CEO
V(BR)CBO
V(BR)EBO
ICBO
Value(min) Value(typ) Value(max)
Tests conditions
IC=10mA,IB=0
700
800
1500
7.5
-
-
-
IC=1mA,IB=0
1400
V
IE=1mA,IC=0
6
-
-
V
VCB=1400V, IE=0
5
μA
μA
μA
-
ICEO
VCE=700V,IB=0
-
-
10
5
IEBO
VEB=6V, IC=0
-
--
VCE=5V, IC=100mA
VCE=5V, IC=1.0A
IC=0.5A, IB=0.1A
IC=0.5A, IB=0.1A
VCC=24V IC=0.25A,IB1=-IB2=0.05A
VCC=24V IC=0.25A,IB1=-IB2=0.05A
VCE=10V, IC=0.1A
10
3.0
-
25
4.5
0.3
0.8
-
40
-
hFE
-
VCE(sat)
0.8
1.2
0.7
5
V
VBE(sat)
-
V
tf
-
μS
μS
MHz
ts
fT
-
-
4
-
-
热特性THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
符 号
最小值
最大值
单 位
Parameter
Value(min) Value(max)
Symbol
Unit
结到环境的热阻TO-251/252
Rth(j-c)
Rth(j-c)
Thermal Resistance Junction Case TO-251/252
结到管壳的热阻TO-126
-
-
12.5
6.25
℃/W
℃/W
Thermal Resistance Junction Case TO-126
版本：200910C
2/6
JSMC [ JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ]
