R
HBR20200
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
项
目
绝对最大额定值
符
号
数
值
单
�½�
Parameter
最大反向重复峰值电压
Repetitive peak reverse voltage
最大直流阻断电压
Maximum DC blocking voltage
正向平均整流电流
Average forward
current
T
C
=150℃
(TO-220C)
T
C
=125℃
(TO-220F,
TO-220HF)
整个器件
per device
Symbol
V
RRM
V
DC
Value
200
200
20
Unit
V
V
I
F(AV)
单
侧
per diode
10
A
正向峰值浪涌电流
Surge non repetitive forward current
（额定负�½½
8.3ms
半正弦波—按
JEDEC
方法）
8.3 ms single half-sine-wave (JEDEC Method)
最高结温
Maximum junction temperature
储存温度
Storage temperature range
I
FSM
190
A
T
j
T
STG
175
-40~+150
℃
℃
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
项
目
测试条件
Tests conditions
Tj =25℃
Tj =125℃
Tj =25℃
Tj =125℃
V
R
=V
RRM
I
F
=10A
0.83
0.68
最小值
典型值
最大值
10
6
0.93
0.75
单�½�
Unit
μA
mA
V
V
Parameter
I
R
V
F
Value(min) Value(typ) Value(max)
热特性
THERMAL CHARACTERISTICS
项
目
符
号
最小值
Value(min)
最大值
Value(max)
3.0
3.5
3.5
单
�½�
Parameter
结到管壳的热阻
Thermal resistance from
junction to case
TO-220C
TO-220F
TO-220HF
Symbol
Unit
R
th(j-c)
℃
/W
版本(Rev.)：201003G
2/7
JSMC [ JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ]
