R
肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR20200S
主要参数
I
F(AV)
V
RRM
T
j
V
F(max)
MAIN
CHARACTERISTICS
20（2×10）A
200 V
175
℃
0.80V
（@Tj=125℃）
封装
Package
TO-3PB
用途
高频开关电源
�½�压续流电路和保护电
路
APPLICATIONS
High frequency switch
power supply
Free wheeling diodes,
polarity protection
applications
产品特性
共阴结构
�½�功耗，高效率
良�½的高温特性
有过压保护环，
高可靠性
环保（RoHS）产品
FEATURES
Common cathode structure
Low power loss, high efficiency
High Operating Junction
Temperature
Guard ring for overvoltage
protection，High reliability
RoHS product
订货信息
ORDER MESSAGE
订 货 型 号
Order codes
HBR20200SAB
HBR20200SABR
印
记
封
装
否
是
无卤素
Halogen Free
NO
YES
包
装
器件重量
Device Weight
5.20 g(typ)
5.20 g(typ)
Marking
HBR20200S
HBR20200S
Package
TO-3PB
TO-3PB
Packaging
条管
Tube
条管
Tube
版本(Rev.)：201003A
1/5
JSMC [ JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ]
