R
肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR3100
主要参数
I
F(AV)
V
RRM
T
j
V
F(max)
MAIN
CHARACTERISTICS
3A
100 V
175
℃
0.7V
（@Tj=125℃）
封装
Package
用途
�½�压、高频整流
�½�压续流电路和保护电
路
APPLICATIONS
Low voltage, high
frequency rectifier
Free wheeling diodes,
polarity protection
applications
DO-201AD(DO-27)
产品特性
�½�向结构
�½�功耗，高效率
良�½的高温特性
有过压保护环，
高可靠性
环保（RoHS）产品
FEATURES
Axial Lead Rectifier
Low power loss, high efficiency
High Operating Junction
Temperature
Guard ring for overvoltage
protection，High reliability
RoHS product
订货信息
ORDER MESSAGE
订 货 型 号
Order codes
HBR3100D
HBR3100DR
印
记
封
装
否
是
无卤素
Halogen Free
NO
YES
包
装
器件重量
Device Weight
1.1g(approx.)
1.1g(approx.)
Marking
HBR3100
HBR3100
Package
DO-201AD
DO-201AD
Packaging
编带
Tape
编带
Tape
版本(Rev.)：201011A
1/5
JSMC [ JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ]
