R
肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR5150
主要参数
I
F(AV)
V
RRM
T
j
V
F(max)
MAIN
CHARACTERISTICS
5A
150 V
175
℃
0.75V
(@Tj=125℃)
封装
Package
用途
�½�压、高频整流
�½�压续流电路和保护电
路
APPLICATIONS
Low voltage, high
frequency rectifier
Free wheeling diodes,
polarity protection
applications
DO-201AD(DO-27)
产品特性
�½�向结构
�½�功耗,高效率
良�½的高温特性
有过压保护环,
高可靠性
环保(RoHS)产品
FEATURES
Axial Lead Rectifier
Low power loss, high efficiency
High Operating Junction
Temperature
Guard ring for overvoltage
protection,High reliability
RoHS product
订货信息
ORDER MESSAGE
订 货 型 号
Order codes
HBR5150D
HBR5150DR
印
记
封
装
否
是
无卤素
Halogen Free
NO
YES
包
装
器件重量
Device Weight
1.1g(approx.)
1.1g(approx.)
Marking
HBR5150
HBR5150
Package
DO-201AD
DO-201AD
Packaging
编带
Tape
编带
Tape
版本(Rev.):201011A
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