R
JCS7N65B
项
目
符
号
测试条件
Tests conditions
最小 典型 最 大 单 �½�
Min
Typ Max Units
Parameter
Symbol
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
关态特性
Off –Characteristics
漏－源击穿电压
Drain-Source Voltage
击穿电压温度特性
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
零栅压下漏极漏电流
Zero Gate Voltage Drain Current
正向栅极�½�漏电流
Gate-body leakage current,
forward
反向栅极�½�漏电流
Gate-body leakage current,
reverse
通态特性
On-Characteristics
阈值电压
Gate Threshold Voltage
静态导通电阻
Static Drain-Source
On-Resistance
正向跨导
Forward Transconductance
动态特性
Dynamic Characteristics
输入电容
Input capacitance
输出电容
Output capacitance
反向传输电容
Reverse transfer capacitance
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1.0MH
Z
-
-
-
1120 1350 pF
115 150
23
30
pF
pF
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
=250μA
2.0
-
4.0
V
BV
DSS
I
D
=250
μ
A, V
GS
=0V
referenced
to
650
-
-
V
ΔBV
DSS
/Δ I
D
=250
μ
A,
25℃
T
J
-
0.65
-
V/℃
I
DSS
V
DS
=650V,V
GS
=0V,
T
C
=25℃
V
DS
=520V,
T
C
=125℃
-
-
-
-
-
-
10
100
100
μA
μA
nA
I
GSSF
V
DS
=0V,
V
GS
=30V
I
GSSR
V
DS
=0V,
V
GS
=-30V
-
-
-100 nA
R
DS(ON)
V
GS
=10V , I
D
=3.5A
-
1.1
1.3
Ω
g
fs
V
DS
= 40V, I
D
=3.5A
（note
4） -
6.2
-
S
版本：201103A
3/10
JSMC [ JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ]
