R
MBR1040
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
项
目
符 号
数 值
单 位
Parameter
最大反向重复峰值电压
Symbol
Value
Unit
VRRM
VDC
40
V
V
Repetitive peak reverse voltage
最大直流阻断电压
40
10
Maximum DC blocking voltage
正向平均整流电流 TC=150℃
整个器件
Average forward
current
(TO-220)
per device
TC=125℃
(TO-220BF,
TO-220HF)
IF(AV)
A
A
单
侧
5
per diode
正向峰值浪涌电流
Surge non repetitive forward current
IFSM
80
（额定负载8.3ms 半正弦波—按JEDEC 方法）
8.3 ms single half-sine-wave (JEDEC Method)
最高结温
Tj
150
℃
℃
Maximum junction temperature
储存温度
TSTG
-40~+150
Storage temperature range
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
项
目
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
Unit
μA
mA
V
Parameter
Tests conditions
Value(min) Value(typ) Value(max)
Tj =25℃
50
50
IR
VR=VRRM
IF=5A
Tj =125℃
Tj =25℃
Tj =125℃
0.52
0.58
0.48
VF
V
热特性THERMAL CHARACTERISTICS
项
目
符 号
最小值
最大值
单 位
Parameter
Symbol
Value(min) Value(max) Unit
结到管壳的热阻
TO-220
1.9
Thermal resistance from
junction to case
TO-220BF
TO-220HF
Rth(j-c)
2.5
2.5
℃/W
版本(Rev.):201003E
2/7
JSMC [ JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ]
