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3DD13005ED-O-I-N-B 参数 Datasheet PDF下载

3DD13005ED-O-I-N-B图片预览
型号: 3DD13005ED-O-I-N-B
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内容描述: 高压快速开关NPN功率晶体管 [HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体开关晶体管高压
文件页数/大小: 13 页 / 365 K
品牌: JSMC [ JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ]
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R
3DD13005ED
绝对额定值
(Tc=25℃)
�½�
参数
符号
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
C
P
C
P
C
T
j
T
英镑
价值
700
400
9
4
8
2
4
40
50
75
150
-55~+150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
W
W
绝对最大额定值
集电极—发射极直流电压
集电极—发射极直流电压
发射极—基极直流电压
最大集电极直流电流
最大集电极脉冲电流
最大基极直流电流
最大基极脉冲电流
最大集电极耗散功率
最大集电极耗散功率
最大集电极耗散功率
最高结温
贮存温度
集电极 - 发射极电压( V
BE
=0)
集电极 - 发射极电压(I
B
=0)
发射极 - 基极电压
集电极电流(DC)的
集电极电流(脉冲)
基极电流( DC )
基本电流(脉冲)
总功耗( TO -251 /126 / EC 126S / 220HF )
总功耗( TO- 252 )
总功耗( TO- 220C / 263分之262 )
结温
储存温度
脉冲
电流�½度为小于5ms的非重复单脉冲。
脉冲测试:脉冲宽度= 5.0毫秒,占空比
& LT ;
10%.
电特性
电气特性
测试条件
测试条件
I
C
=10mA,I
B
=0
I
C
=1mA,I
B
=0
I
E
=1mA,I
C
=0
V
CB
= 700V ,我
E
=0
V
CE
=400V,I
B
=0
V
EB
= 9V ,我
C
=0
V
CE
=10V,
V
CE
=5V,
I
C
=2A,
I
C
=2A,
I
C
=500mA
I
C
=2A
最小值
值(分钟)
400
700
9
-
-
-
8
5
-
-
-
-
4
典型值
值(典型值)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大值
值(最大值)
-
-
-
100
50
10
50
-
1.0
1.8
0.7
5
-
V
V
μS
μS
兆赫
单�½�
单位
V
V
V
μA
μA
μA
参数
V( BR )
首席执行官
V( BR )
CBO
V( BR )
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
Hfe(1)
Hfe(2)
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
tf
ts
fT
I
B
=0.4A
I
B
=0.5A
V
CC
= 24V I
C
=2A,I
B1
=-I
B2
=0.4A
V
CE
= 10V ,我
C
=0.5A
热特性
热特性
最小值
最大值
�½�
参数
结到管壳的热阻
TO-251/126/126S/220HF
热阻结箱体TO -251 /126 / EC 126S
结到管壳的热阻
TO-252
热阻结箱体TO -252
结到管壳的热阻
TO-220C/262/263
热阻结箱体TO - 220C /二百六十三分之二百六十二
符号
RTH (J -C )
RTH (J -C )
RTH (J -C )
值(Min )值(Max )
-
-
-
3.125
2.50
1.67
单位
/W
/W
/W
版本:201103E
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