欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

3DD5027 参数 Datasheet PDF下载

3DD5027图片预览
型号: 3DD5027
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 高压快速开关NPN功率晶体管 [HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体开关晶体管高压
文件页数/大小: 5 页 / 374 K
品牌: JSMC [ JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ]
 浏览型号3DD5027的Datasheet PDF文件第1页浏览型号3DD5027的Datasheet PDF文件第3页浏览型号3DD5027的Datasheet PDF文件第4页浏览型号3DD5027的Datasheet PDF文件第5页  
R
3DD5027
绝对额定值
(Tc=25℃)
参数
符 号
符号
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
C
T
j
T
英镑
数 值
价值
1100
800
7
3
6
1
2
50
150
-55~+150
单 �½�
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
绝对最大额定值
集电极—发射极直流电压
集电极—发射极直流电压
发射极—基极直流电压
最大集电极直流电流
最大集电极脉冲电流
最大基极直流电流
最大基极脉冲电流
最大集电极耗散功率
最高结温
贮存温度
集电极 - 发射极电压( V
BE
=0) V
CES
集电极 - 发射极电压(I
B
=0)
发射极 - 基极电压
集电极电流(DC)的
集电极电流(脉冲)
基极电流( DC )
基本电流(脉冲)
总功耗( TO- 220 )
结温
储存温度
脉冲
电流�½度为小于5ms的非重复单脉冲。
脉冲测试:脉冲宽度= 5.0毫秒,占空比
& LT ;
10%.
电特性
电气特性
V
( BR )
首席执行官
V
( BR )
CBO
V
( BR )
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
Hfe(1)
Hfe(2)
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
t
f
ts
f
T
参数
测试条件
测试条件
I
C
=10mA,I
B
=0
I
C
=1mA,I
B
=0
I
E
=1mA,I
C
=0
V
CB
= 1100V ,我
E
=0
V
CE
=800V,I
B
=0
V
EB
= 7V ,我
C
=0
V
CE
=5V,
V
CE
=5V,
I
C
=1.5A,
I
C
=1.5A,
V
CC
=24V
I
C
=0.2A
I
C
=1A
I
B
=0.3A
I
B
=0.3A
I
C
=2A,I
B1
=-I
B2
=0.4A
最小值
值(分钟)
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
最大值
-
-
-
100
50
10
50
-
2
1.5
0.3
3
-
值(典型值)值(Max )
单�½�
单位
V
V
V
μA
μA
μA
800
1100
7
-
-
-
10
8
-
-
-
-
-
V
V
μS
μS
兆赫
V
CE
= 10V ,我
C
=0.2A
热特性
热特性
参数
符 号
符号
R
日( J-
c
)
最小值
最大值
值(Min )值(Max )
单 �½�
单位
/W
结到管壳的热阻
TO-220
热阻结箱体TO -220
-
2.5
版本:200910C
2/5