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JCS12N65FT-O-F-N-B 参数 Datasheet PDF下载

JCS12N65FT-O-F-N-B图片预览
型号: JCS12N65FT-O-F-N-B
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内容描述: N沟道MOSFET [N-CHANNEL MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 1137 K
品牌: JSMC [ JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ]
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R
JCS12N65T
t
d
(上)
t
r
t
d
(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=480V ,
I
D
=12A
V
GS
=10V
(注
4,5)
V
DD
=300V,I
D
=12A,R
G
=25Ω
(注
4,5)
-
-
-
-
-
-
-
78 102
133 175
233 305
104 160
39
8.5
20
52
-
-
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
电特性
电气特性
开关特性
开关特性
延迟时间
导通延迟时间
上升时间
开启上升时间
延迟时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
关断下降时间
栅极电荷总量
总栅极电荷
栅-源电荷
栅极 - 源电荷
栅-漏电荷
栅极 - 漏极电荷
漏-源二极管特性及最大额定值
漏源二极管的特性和最大额定值
正向最大连续电流
最大连续漏极
- 源二极管的正向电流
正向最大脉冲电流
最大脉冲漏源
二极管的正向电流
正向压降
漏源二极管正向
电压
反向恢复时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电荷
V
SD
I
S
-
-
12
A
I
SM
-
-
48
A
V
GS
=0V,
I
S
=12A
-
-
1.39
V
t
rr
Q
rr
V
GS
= 0V时,我
S
=12A
(注4 )
dI
F
/dt=100A/
μ
s
-
-
418
4.85
-
-
ns
μC
热特性
热特性
JCS12N65CT
0.5
62.5
注意事项:
1 :脉冲宽度由最大结有限
温度
2: L = 11.2mH ,我
AS
= 12A ,V
DD
= 50V ,R
G
=25
Ω ,开始
T
J
=25℃
3:I
SD
≤12A , di / dt的≤300A /微秒, VDD≤BV
DSS
开始
T
J
=25℃
4 :脉冲测试:脉冲宽度
≤300μs,Duty
Cycle≤2%
5 :基本上是独立工作温度
最大
最大
JCS12N65FT
2.45
62.5
�½�
参数
结到管壳的热阻
热阻,结到外壳
结到环境的热阻
热阻,结到环境
注释:
1
脉冲�½度由最高结温限制
2:
L = 11.2mH ,我
AS
= 12A ,V
DD
= 50V ,R
G
=25
Ω,起始结
T
J
=25℃
3:I
SD
≤12A , di / dt的≤300A /微秒, VDD≤BV
DSS
,起始结温
T
J
=25℃
4:脉冲测试:脉冲�½度≤300μs,占空比≤2%
5:基本与工�½�温度无关
符号
R
日(J -C )
R
号(j -a)的
单位
℃/W
℃/W
版本:201010C
4/10