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JCS630V-O-V-N-B 参数 Datasheet PDF下载

JCS630V-O-V-N-B图片预览
型号: JCS630V-O-V-N-B
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内容描述: N沟道MOSFET [N-CHANNEL MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 14 页 / 1142 K
品牌: JSMC [ JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ]
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R
JCS630
测试条件
测试条件
最大 典型 最 大 单 �½�
最小典型最大单位
参数
符号
电特性
电气特性
关态特性
关-Characteristics
漏-源击穿电压
漏源电压
击穿电压温度特性
击穿电压温度
系数
零栅压下漏极漏电流
零栅极电压漏极电流
正向栅极�½�漏电流
门体漏电流,
前锋
反向栅极�½�漏电流
门体漏电流,
反向
通态特性
上特点
阈值电压
栅极阈值电压
静态导通电阻
静态漏源
导通电阻
正向跨导
正向跨导
输入电容
输入电容
输出电容
输出电容
反向传输电容
反向传输电容
V
GS ( TH)
V
DS
= V
GS
, I
D
=250μA
2.0
-
4.0
V
BV
DSS
I
D
=250
μ
A,V
GS
=0V
200
-
-
V
ΔBV
DSS
/Δ I
D
=250
μ
A,参考
25℃
T
J
V
DS
=200V,V
GS
=0V,
T
C
=25℃
V
DS
=160V,
I
GSSF
V
DS
=0V,
T
C
=125℃
-
0.2
-
V/℃
I
DSS
-
-
-
-
-
-
10
100
100
μA
μA
nA
V
GS
=30V
I
GSSR
V
DS
=0V,
V
GS
=-30V
-
-
-100
nA
R
DS ( ON)
V
GS
= 10V ,我
D
=4.5A
V
DS
= 40V ,我
D
=4.5A(note
4)
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1.0MH
Z
-
0.34 0.4
g
fs
-
7.05
-
S
动态特性
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
-
-
-
550 720
85
22
110
29
pF
pF
pF
版本:201007A
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