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JCS640F-O-F-N-B 参数 Datasheet PDF下载

JCS640F-O-F-N-B图片预览
型号: JCS640F-O-F-N-B
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内容描述: N沟道MOSFET [N-CHANNEL MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 1179 K
品牌: JSMC [ JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ]
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R
JCS640
特征曲线
V
GS
15V
10V
9V
8V
7V
6.5V
6V
5.5V
底部5V
顶部
电特性(曲线)
传输特性
在区域特征
10
I
D
漏电流[ A]
I
D
[A]
10
25
150
1
注意事项:
1. 250μs的脉冲测试
2. T
C
=25
1
1
10
0.1
注意事项:
1.250μs脉冲测试
2.V
DS
=40V
2
4
6
8
10
V
DS
[V]
V
GS
栅源电压[V]
导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
0.22
0.21
0.20
0.19
0.18
0.17
0.16
0.15
0.14
体二极管正向电压的变化
与源电流和温度
R
DS ( ON)
漏极 - 源极导通电阻(Ω)
V
GS
=10V
V
GS
=20V
I
DR
反向漏电流[ A]
10
150
25
1
注:t
j
=25
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
I
D
[A]
V
S.D。
源极 - 漏极电压[ V]
电容特性
12
栅极电荷特性
V
DS
=40V
V
DS
=100V
V
DS
=160V
10
V
GS
栅源电压[ V]
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
Q
g
Toltal栅极电荷[ NC ]
版本:201007A
5/10