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    JCS740B-O-B-N-B 参数 Datasheet PDF下载

    JCS740B-O-B-N-B图片预览
    型号： JCS740B-O-B-N-B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道MOSFET [N-CHANNEL MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 12 页 / 1255 K
    品牌： JSMC [ JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ]
     浏览型号JCS740B-O-B-N-B的Datasheet PDF文件第1页浏览型号JCS740B-O-B-N-B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号JCS740B-O-B-N-B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号JCS740B-O-B-N-B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号JCS740B-O-B-N-B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号JCS740B-O-B-N-B的Datasheet PDF文件第7页浏览型号JCS740B-O-B-N-B的Datasheet PDF文件第8页浏览型号JCS740B-O-B-N-B的Datasheet PDF文件第9页  
    R
    JCS740
    电特性（曲线）
    传输特性
    10
    特征曲线
    在区域特征
    V
    GS
    15V
    10V
    8V
    7V
    6.5V
    6V
    5.5V
    底部5V
    顶部
    I
    D
    [A]
    10
    I
    D
    [A]
    25
    ℃
    150
    ℃
    1
    笔记
    ：
    1. 250μs的脉冲测试
    2. T
    C
    =25
    ℃
    1
    0.1
    笔记
    ：
    1.250μs脉冲测试
    2.V
    DS
    =40V
    2
    4
    6
    8
    10
    1
    10
    V
    DS
    [V]
    V
    GS
    [V]
    导通电阻变化对比
    漏电流和栅极电压
    1.05
    体二极管正向电压的变化
    与源电流和温度
    10
    R
    DS
    （上）,
    Ω
    ]
    1.00
    V
    GS
    =10V
    0.95
    25
    ℃
    I
    DR
    [A]
    0.90
    V
    GS
    =20V
    1
    0.85
    150
    ℃
    T
    记
    ：
    j
    =25
    ℃
    0.1
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    1.2
    0.80
    笔记
    ：
    1. 250μs的脉冲测试
    2. V
    GS
    =0V
    8
    1.4
    1.6
    0.75
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    I
    D
    [A]
    V
    SD
    [V]
    电容特性
    C
    国际空间站
    =C
    gs
    +C
    gd
    (C
    ds
    =短路）
    C
    OSS
    =C
    ds
    +C
    gd
    C
    RSS
    =C
    gd
    12
    栅极电荷特性
    3x10
    3
    10
    V
    DS
    =320V
    V
    DS
    =200V
    V
    GS
    栅源电压[ V]
    电容[ pF的]
    8
    2x10
    3
    V
    DS
    =80V
    6
    1x10
    3
    4
    2
    0
    10
    -1
    V
    DS
    漏源电压[ V]
    10
    0
    10
    1
    0
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    24
    28
    32
    Q
    g
    Toltal栅极电荷[ NC ]
    版本：201008B
    5/12

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