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K4J10324QD-HC14产品参数
型号:K4J10324QD-HC14
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
包装说明:FBGA, BGA136,12X17,32
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.84
最长访问时间:0.26 ns
最大时钟频率 (fCLK):700 MHz
I/O 类型:COMMON
交错的突发长度:4,8
JESD-30 代码:R-PBGA-B136
JESD-609代码:e1
内存密度:1073741824 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:32
湿度敏感等级:3
端子数量:136
字数:33554432 words
字数代码:32000000
组织:32MX32
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:FBGA
封装等效代码:BGA136,12X17,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:1.8 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192
连续突发长度:4,8
最大待机电流:0.08 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.715 mA
标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
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处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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