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| 型号: | K7R160884B-FC25 |
| 是否无铅： | 含铅 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC |
| 包装说明： | BGA, BGA165,11X15,40 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 0.45 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 250 MHz |
| I/O 类型： | SEPARATE |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B165 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 |
| 端子数量： | 165 |
| 字数： | 2097152 words |
| 字数代码： | 2000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 组织： | 2MX8 |
| 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BGA |
| 封装等效代码： | BGA165,11X15,40 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY |
| 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 1.5/1.8,1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.18 A |
| 最小待机电流： | 1.7 V |
| 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.38 mA |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| Base Number Matches： | 1 |
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