BAV70T 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BAV70T
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内容描述：	硅外延平面二极管 [SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE]
分类和应用：	二极管光电二极管局域网
文件页数/大小：	2 页 / 38 K
品牌：	KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]

半导体

技术参数

超高速开关应用。

特点

・

小型封装

・

低正向电压

・

快速反向恢复时间

・

小总电容

BAV70T

硅外延平面二极管

： ESM 。

: V

= 0.9V （典型值）。

: t

=1.6ns(Typ.).

暗淡

: C

= 0.9pF （典型值）。

MILLIMETERS

1.60 + 0.10

0.85 + 0.10

0.70 + 0.10

0.27+0.10/-0.05

1.60 + 0.10

1.00 + 0.10

0.50

0.13 + 0.05

特征

最大（峰值）反向电压

反向电压

连续正向电流

浪涌电流（ 10毫秒）

功耗

结温

存储温度范围

符号

FSM

英镑

等级

150

200 *

150

-55�½�150

单位

1.阳极1

℃

最大额定值（ TA = 25 ℃ ）

2.阳极2

3.阴极

ESM

注：*包安装在FR- 5委员会（ 25.4 × 19.05 × 1.57毫米）

记号

电气特性（Ta = 25℃）

特征

符号

F(1)

正向电压

F(2)

F(3)

反向电流

总电容

反向恢复时间

测试条件

=1mA

=10mA

=150mA

=80V

= 0中，f = 1MHz的

=10mA

分钟。

典型值。

0.60

0.72

马克斯。

1.25

0.5

3.0

4.0

单位

2009. 1. 23

版本号： 1

1/2

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