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BC549 参数 Datasheet PDF下载

BC549图片预览
型号: BC549
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内容描述: 外延平面NPN晶体管 [EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 1 页 / 32 K
品牌: KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]
   
半导体
技术参数
低噪声放大器应用。
特征
互补与PNP型BC559 / 560 。
B
BC549/550
外延平面NPN晶体管
C
A
N
K
E
G
最大额定值( TA = 25
特征
)
D
符号
BC549
V
CBO
等级
30
单位
V
集电极 - 基极电压
BC550
BC549
集电极 - 发射极电压
BC550
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
50
30
V
L
1
2
F
H
F
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
3
5
100
625
150
-55 150
V
mA
mW
M
C
45
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
MILLIMETERS
4.70 MAX
4.80 MAX
3.70 MAX
0.45
1.00
1.27
0.85
0.45
_
14.00 + 0.50
0.55最大
2.30
0.45最大
1.00
J
1.集热器
2.基
3.辐射源
TO-92
电气特性( TA = 25 )
特征
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 基
击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
直流电流增益
基射极电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
BC549
噪声系数
BC550
注:H
FE
A类: 110
220,
B:200 450,
NF
BC549
BC550
BC549
BC550
符号
V
( BR ) CEO
测试条件
I
C
= 10毫安,我
B
=0
分钟。
30
45
30
I
C
= 10 A,I
E
=0
I
E
= 10 A,I
C
=0
V
CB
= 30V ,我
E
=0
I
C
= 2毫安,V
CE
=5V
I
C
= 2毫安,V
CE
=5V
I
C
= 100mA时我
B
=5mA
I
C
= 100mA时我
B
=5mA
I
C
= 10毫安,V
CE
= 5V , F = 100MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
I
C
= 200 A,V
CE
=5V
Rg=10k
C:420 800
, f≤1kHz
50
5.0
-
110
0.55
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.9
300
-
-
-
马克斯。
-
V
-
-
V
-
-
15
800
0.7
0.6
-
-
4.5
4.0
dB
10
V
V
V
兆赫
pF
V
nA
单位
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CBO
h
FE
(注)
V
BE(上)
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
1999. 11. 30
版本号: 2
1/1