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型号: BC637
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内容描述: 外延平面NPN晶体管(高电流晶体管) [EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR(HIGH CURRENT TRANSISTORS)]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 1 页 / 63 K
品牌: KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]
   
半导体
技术参数
高电流晶体管。
B
BC637
外延平面NPN晶体管
C
特点
A
补充BC638 。
N
K
E
G
最大额定值( TA = 25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
60
60
5
500
625
150
-55
150
单位
V
V
V
mA
mW
L
D
H
F
F
1
2
3
M
C
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
MILLIMETERS
4.70 MAX
4.80 MAX
3.70 MAX
0.45
1.00
1.27
0.85
0.45
_
14.00 + 0.50
0.55最大
2.30
0.45最大
1.00
J
1.发射器
2.收集
3. BASE
TO-92
电气特性( TA = 25 )
特征
集电极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
输入电容
集电极输出电容
符号
I
CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE
f
T
C
ib
C
ob
测试条件
V
CB
= 30V ,我
E
=0
I
C
= 10毫安,我
B
=0
I
C
= 100 A,I
E
=0
I
E
= 10 A,I
C
=0
V
CE
= 2V ,我
C
=150mA
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA
V
CE
= 2V ,我
C
=500mA
V
CE
= 2V ,我
C
= 50mA时F = 100MHz的
V
EB
= 0.5V ,我
C
= 0中,f = 1MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
分钟。
-
60
60
5.0
40
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
200
50
7.0
马克斯。
100
-
-
-
160
0.5
1.0
-
-
-
V
V
兆赫
pF
pF
单位
nA
V
V
V
*脉冲测试:脉冲宽度300秒,占空比2.0 %
2000. 10. 2
版本号: 0
1/1