半导体
技术参数
一般工业用途。
切换应用程序。
特点
·补充
为BC817 。
2
L
E
B
BC807
外延平面PNP晶体管
L
3
1
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
发射极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
E
P
C
*
T
j
T
英镑
等级
-50
-45
-5
-800
800
350
150
-55�½�150
单位
V
C
N
P
P
V
V
mA
mA
mW
℃
℃
M
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
MILLIMETERS
_
2.93 + 0.20
1.30+0.20/-0.15
1.30最大
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
1.90
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
7
A
G
H
1.发射器
2.基
3.收集
K
SOT-23
* ：包安装于99.9 ％的氧化铝10 × 8 × 0.6毫米。
电气特性（Ta = 25℃）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益（注）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
注：H
FE
分类
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
(1)
h
FE
(2)
V
CE （ SAT ）
V
BE
f
T
C
ob
测试条件
V
CB
= -20V ，我
E
=0
V
EB
= -5V ，我
C
=0
V
CE
= -1V ，我
C
=-100mA
V
CE
= -1V ，我
C
=-500mA
I
C
= -500mA ，我
B
=-50mA
V
CE
= -1V ，我
C
=-500mA
V
CE
= -5V ，我
C
= -10mA ， F = 100MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
分钟。
-
-
100
40
-
-
80
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
9
马克斯。
-0.1
-0.1
630
-
-0.7
-1.2
-
-
V
V
兆赫
pF
单位
μ
A
μ
A
16:100�½�250 , 25:160�½�400 , 40:250�½�630
记号
J
D
MARK SPEC
型。
标志
BC807-16
5A
BC807-25
5B
BC807-40
5C
型号名称
LOT号
2009. 2. 19
版本号： 5
1/2
KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]
