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BCW29 参数 Datasheet PDF下载

BCW29图片预览
型号: BCW29
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内容描述: 外延平面PNP晶体管 [EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 1 页 / 33 K
品牌: KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]
   
半导体
技术参数
一般工业用途。
切换应用程序。
特点
补充BCW31 / 32
2
L
BCW29/30
外延平面PNP晶体管
E
B
L
3
1
最大额定值( TA = 25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
*
T
j
T
英镑
等级
-30
-20
-5
-100
350
150
-65 150
0.6mm.
单位
P
P
V
C
N
V
V
mA
mW
M
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
MILLIMETERS
_
2.93 + 0.20
1.30+0.20/-0.15
1.30最大
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
1.90
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
7
A
G
H
1.发射器
2.基
3.收集
K
* :包安装于99.9 %的氧化铝10 8
SOT-23
记号
LOT号
LOT号
型号名称
C1
BCW29
型号名称
C2
BCW30
电气特性( TA = 25 )
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
BCW29
直流电流增益
BCW30
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极输出电容
噪声系数
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
C
ob
NF
测试条件
I
C
=-10 A
I
C
=-2mA
I
E
=-10 A
V
CB
=-30V
V
EB
=-5V
V
CE
= -5V ,我
C
=-2mA
I
C
= -10mA ,我
B
=-0.5mA
V
CE
= -5V ,我
C
=-2mA
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
V
CE
= -5V ,我
C
=-0.2mA
R
S
= 2K , F = 1kHz时
分钟。
-30
-20
-5
-
-
110
200
-
-0.55
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-100
-100
220
450
-0.25
-0.7
4
10
V
V
pF
dB
单位
V
V
V
nA
nA
1999. 12. 29
版本号: 1
J
D
1/1