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BSS63 参数 Datasheet PDF下载

BSS63图片预览
型号: BSS63
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内容描述: 外延平面PNP晶体管(通用,切换) [EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管局域网
文件页数/大小: 1 页 / 63 K
品牌: KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]
   
半导体
技术参数
一般工业用途。
切换应用程序。
L
E
B
BSS63
外延平面PNP晶体管
L
最大额定值( TA = 25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
发射极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
)
A
G
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
E
P
C
T
j
T
英镑
等级
-110
-100
-6
-100
100
200
150
-65 150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
2
3
1
P
P
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
MILLIMETERS
_
2.93 + 0.20
1.30+0.20/-0.15
1.30最大
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
1.90
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
7
C
N
H
M
1.发射器
2.基
3.收集
K
SOT-23
记号
J
D
LOT号
型号名称
T6
电气特性( TA = 25 )
特征
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
BE ( SAT )
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
测试条件
I
C
= -10mA ,我
B
=0
I
C
= -10 A,I
E
=0
I
E
= -10 A,I
C
=0
V
CB
= -90V ,我
E
=0
V
CB
= -90V ,我
E
= 0 ,TA = 150
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -1V ,我
C
=-10mA
V
CE
= -1V ,我
C
=-25mA
I
C
= -25mA ,我
B
=-2.5mA
I
C
= -25mA ,我
B
=-2.5mA
I
C
= -75mA ,我
B
=-7.5mA
I
C
= -25mA ,V
CE
= -5V , F = 100MHz的
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
分钟。
-100
-110
-6
-
-
-
30
30
-
-
-
50
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
马克斯。
-
-
-
-100
-50
-200
-
-
-0.9
-0.25
-0.9
-
-
V
V
兆赫
pF
单位
V
V
V
nA
A
nA
1998. 6. 15
版本号: 1
1/1