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KDS120 参数 Datasheet PDF下载

KDS120图片预览
型号: KDS120
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内容描述: 硅外延型二极管 [SILICON EPITAXIAL TYPE DIODE]
分类和应用: 二极管光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 40 K
品牌: KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]
 浏览型号KDS120的Datasheet PDF文件第2页  
半导体
技术参数
超高速开关应用。
特点
小型封装
低正向电压
快速反向恢复时间
小总电容
KDS120
硅外延型二极管
E
: USM 。
: V
F
= 0.92V (典型值) 。
A
M
B
M
D
3
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
: t
rr
=1.6ns(Typ.).
: C
T
= 2.2pF (典型值) 。
2
1
MILLIMETERS
_
2.00 + 0.20
_
1.25 + 0.15
_
0.90 + 0.10
0.3+0.10/-0.05
_
2.10 + 0.20
0.65
0.15+0.1/-0.06
1.30
0.00-0.10
0.70
_
0.42 + 0.10
0.10敏
J
G
C
L
最大额定值( TA = 25 ℃ )
特征
最大(峰值)反向电压
反向电压
最大(峰值)正向电流
平均正向电流
浪涌电流( 10毫秒)
功耗
结温
存储温度范围
符号
V
RM
V
R
I
FM
I
O
I
FSM
P
D
T
j
T
英镑
等级
85
80
300 *
100 *
2*
100
150
-55�½�150
单位
V
V
mA
mA
A
mW
H
N
K
N
L
M
N
3
1.阴极1
2.阴极2
3.阳极
2
1
USM
注: *单位评级。总评分=单位等级×1.5
记号
LOT号
型号名称
A3
电气特性(Ta = 25℃)
特征
符号
V
F(1)
正向电压
V
F(2)
V
F(3)
反向电流
总电容
反向恢复时间
I
R
C
T
t
rr
测试条件
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=100mA
V
R
=80V
V
R
= 0中,f = 1MHz的
I
F
=10mA
分钟。
-
-
-
-
-
-
典型值。
0.61
0.74
0.92
-
2.2
1.6
马克斯。
-
-
1.20
0.5
4.0
4.0
μ
A
pF
nS
V
单位
2008.9. 8
版本号: 4
1/2