KDS165T 参数 Datasheet PDF下载

型号：	KDS165T
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内容描述：	硅外延平面二极管 [SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE]
分类和应用：	二极管光电二极管局域网
文件页数/大小：	2 页 / 396 K
品牌：	KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]

半导体

技术参数

超高速开关应用。

特点

低正向电压。

快速反向恢复时间。

小总电容。

KDS165T

硅外延平面二极管

DIM毫米

2.9 + 0.2

1.6+0.2/-0.1

0.70 + 0.05

0.4 + 0.1

2.8+0.2/-0.3

1.9 + 0.2

0.16 + 0.05

0.00-0.10

0.25+0.3/-0.15

0.60 + 0.1

0.55 + 0.1

最大额定值（ TA = 25

特征

最大（峰值）反向电压

反向电压

最大（峰值）正向电流

平均正向电流

浪涌电流（ 10毫秒）

功耗

结温

存储温度范围

)

符号

FSM

英镑

等级

300

100

900

150

-55 150

0.8

)

单位

TSQ

* ：单位等级。（总分=单位评分1.5 ）

** ：总评级，封装安装在陶瓷基板（600

记号

LOT号

型号名称

G 3

电气特性（ TA = 25 ）

特征

符号

F(1)

正向电压

F(2)

F(3)

反向电流

总电容

反向恢复时间

=1mA

=10mA

=100mA

=80V

= 0中，f = 1MHz的

=10mA

测试条件

分钟。

典型值。

0.60

0.72

0.90

0.9

1.6

马克斯。

1.20

0.5

3.0

4.0

单位

2005. 6. 21

版本号： 0

1/2

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