KDV262E_03 参数 Datasheet PDF下载

型号：	KDV262E_03
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内容描述：	硅外延平面二极管 [SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE]
分类和应用：	二极管局域网
文件页数/大小：	2 页 / 79 K
品牌：	KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]

半导体

技术参数

CATV调谐。

特点

低串联电阻值：R

= 0.6 （典型值）。

优秀简历的特点，跟踪误差小。

有用的小尺寸调谐器。

KDV262E

变容二极管

硅外延平面二极管

阴极标记

高电容比： C2V / C25V = 12.5 （典型值）

最大额定值（ TA = 25

特征

反向电压

峰值反向电压

结温

存储温度范围

)

符号

英镑

等级

36 (R

=10k )

125

-55 125

单位

1.阳极

2.阴极

暗淡

MILLIMETERS

1.60 + 0.10

_ 0.10

1.20 +

0.80 + 0.10

0.30 + 0.05

0.60 + 0.10

0.13 + 0.05

Esc键

电气特性（ TA = 25 ）

特征

反向电压

反向电流

电容

电容比

串联电阻

C（最大值） - C （最小值）

C（最小）

=2~25V)

符号

25V

28V

= 5V ， F = 470MHz的

=1 A

=28V

= 2V ， F = 1MHz的

= 25V ， F = 1MHz的

测试条件

分钟。

2.6

12.0

1.03

典型值。

35.5

2.85

12.5

0.6

马克斯。

3.0

0.8

单位

注：可在匹配的组容量为2.0 ％。

0.02

记号

型号名称

2003. 10. 16

版本号： 1

1/2

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