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    KIC7S66FU 参数 Datasheet PDF下载

    KIC7S66FU图片预览
    型号： KIC7S66FU
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅单片CMOS数字集成电路 [SILICON MONOLITHIC CMOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 3 页 / 36 K
    品牌： KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]
     浏览型号KIC7S66FU的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KIC7S66FU的Datasheet PDF文件第3页  
    半导体
    技术参数
    双向开关
    该KIC7S66FU是一种高速ç
    2
    MOS双向开关
    制造与硅栅ç
    2
    MOS技术。
    它包括一个高速开关能够控制任一数字的
    或模拟信号，同时保持了C
    2
    MOS低功耗。
    控制输入端（C）的设置来控制开关。
    开关管导通，而氯投入高，且开关关
    关而低。
    输入配有防止静电放电和保护电路
    瞬态过电压。
    KIC7S66FU
    硅单片CMOS
    数字集成电路
    B
    B1
    1
    5
    2
    3
    4
    D
    H
    T
    G
    暗淡
    A
    A1
    B
    B1
    C
    D
    G
    H
    T
    MILLIMETERS
    _
    2.00 + 0.20
    _
    1.3 + 0.1
    _
    2.1 + 0.1
    _
    1.25 + 0.1
    0.65
    0.2+0.10/-0.05
    0-0.1
    _
    0.9 + 0.1
    0.15+0.1/-0.05
    特点
    高¡
    速度：吨
    pd
    = 7ns的（典型值）在V
    CC
    =5V.
    ULOW
    功耗：我
    CC
    =1μ
    A（最大）在TA = 25 ℃ 。
    高¡
    抗干扰性： V
    美国国立卫生研究院
    =V
    NIL
    =28% V
    CC
    （分钟） 。
    ULOW
    导通电阻，R
    ON
    = 100Ω （典型值）在V
    CC
    =9V.
    ULOW
    T.H.D ： THD = 0.05 ％ （典型值），在V
    CC
    =5V.
    C
    A1
    A
    C
    USV
    记号
    最大额定值（Ta = 25℃）
    特征
    直流电源电压
    控制输入​​电压
    SWITH I / O电压
    控制二极管电流
    输出二极管电流
    通过I / O电流
    DC V
    CC
    /接地电流
    功耗
    储存温度
    焊接温度（ 10秒）
    符号
    V
    CC
    V
    IN
    V
    I / O
    I
    CK
    I
    OK
    I
    T
    I
    CC
    P
    D
    T
    英镑
    T
    L
    等级
    -0.5�½�10
    -0.5�½�V
    CC
    +0.5
    -0.5�½�V
    CC
    +0.5
    ±20
    ±20
    ±12.5
    ±25
    200
    -65�½�150
    260
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mA
    mA
    mA
    mW
    ℃
    ℃
    输出/输入
    2
    IN / OUT
    1
    5
    V
    CC
    LOT号
    型号名称
    SW
    引脚连接（顶视图）
    GND
    3
    4
    续。
    2008 .9. 17
    版本号： 3
    1/3

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