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KRC860E 参数 Datasheet PDF下载

KRC860E图片预览
型号: KRC860E
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内容描述: 外延平面NPN晶体管(开关,接口电路和驱动电路) [EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)]
分类和应用: 晶体开关晶体管驱动局域网
文件页数/大小: 4 页 / 53 K
品牌: KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]
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半导体
技术参数
切换应用程序。
接口电路和驱动电路应用。
特点
凭借内置的偏置电阻器。
减少零件和制造工艺的数量。
高密度封装。
A1
KRC860E~KRC864E
外延平面NPN晶体管
B
B1
简化电路设计。
A
C
1
6
5
2
3
4
等效电路
C
B
R1
等效电路(顶视图)
6
5
4
H
P
P
暗淡
A
A1
B
B1
C
D
H
J
P
MILLIMETERS
_
1.6 + 0.05
_
1.0 + 0.05
_ 0.05
1.6 +
_
1.2 + 0.05
0.50
_
0.2 + 0.05
_
0.5 + 0.05
_
0.12 + 0.05
5
C
Q1
Q2
1.
2.
3.
4.
5.
6.
Q
1
Q
1
Q
2
Q
2
Q
2
Q
1
辐射源
BASE
集热器
辐射源
BASE
集热器
E
1
2
3
TES6
最大额定值( TA = 25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
等级
50
50
5
100
单位
V
V
V
mA
特征
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
*总评分。
符号
P
C
*
T
j
T
英镑
等级
200
150
-55 150
单位
mW
电气特性( TA = 25 )
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
KRC860E
KRC861E
输入电阻
KRC862E
KRC863E
KRC864E
R
1
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
*
测试条件
V
CB
= 50V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CE
= 5V ,我
C
=1mA
I
C
= 10毫安,我
B
=0.5mA
V
CE
= 10V ,我
C
=5mA
分钟。
-
-
120
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
0.1
250
4.7
10
100
22
47
型号名称
5
4
J
D
马克斯。
100
100
-
0.3
-
-
-
-
-
-
单位
nA
nA
V
兆赫
k
记号
6
MARK SPEC
TYPE
标志
KRC860E
NK
KRC861E
NM
KRC862E
NN
KRC863E
NO
KRC864E
NP
1
2
3
2002. 7. 10
版本号: 2
1/4