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    KTB1124 参数 Datasheet PDF下载

    KTB1124图片预览
    型号： KTB1124
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 外延平面PNP晶体管 [EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管开关局域网
    文件页数/大小： 3 页 / 521 K
    品牌： KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]
     浏览型号KTB1124的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KTB1124的Datasheet PDF文件第3页  
    半导体
    技术参数
    电压调节器，继电器驱动器
    灯驱动器，电气设备
    特点
    通过MBIT过程。
    低集电极 - 发射极饱和电压。
    快速开关速度。
    大电流容量，广ASO 。
    补充KTD1624 。
    KTB1124
    外延平面PNP晶体管
    最大额定值（ TA = 25
    特征
    集电极 - 基极电压
    Vollector发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极电流（脉冲）
    基极电流
    集电极耗散功率
    )
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    I
    B
    P
    C
    P
    C
    *
    等级
    -60
    -50
    -6
    -3
    -6
    -600
    500
    1
    150
    -55
    0.8t)
    150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    mA
    mW
    W
    结温
    存储温度范围
    T
    j
    T
    英镑
    * ：包安装在陶瓷基板（ 250毫米
    2
    电气特性（ TA = 25 ）
    特征
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    h
    FE
    (2)
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    开启时间
    开关
    时间
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    t
    on
    V
    CE
    = -2V ，我
    C
    =-3A
    I
    C
    = -2A ，我
    B
    =-100
    I
    C
    = -2A ，我
    B
    =-100
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    =-50
    V
    CB
    = -10V ， F = 1
    35
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -0.35
    -0.94
    150
    39
    70
    -
    -0.7
    -1.2
    -
    -
    -
    V
    V
    符号
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    （1）（注）
    测试条件
    V
    CB
    = -40V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = -4V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = -2V ，我
    C
    =-100
    分钟。
    -
    -
    100
    典型值。
    -
    -
    -
    马克斯。
    -1
    -1
    400
    单元。
    贮存时间
    t
    英镑
    -
    450
    -
    nS
    下降时间
    t
    f
    -
    35
    -
    注：H
    FE
    （ 1 ） A类： 100 200 ， B： 140 280 ，C ： 200 400
    2008. 3. 11
    版本号： 4
    1/3

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