欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

KTC8050 参数 Datasheet PDF下载

KTC8050图片预览
型号: KTC8050
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 外延平面NPN晶体管 [EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 2 页 / 42 K
品牌: KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]
 浏览型号KTC8050的Datasheet PDF文件第2页  
半导体
技术参数
高电流应用。
特征
补充KTC8550 。
B
KTC8050
外延平面NPN晶体管
C
A
N
最大额定值( TA = 25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
发射极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
E
P
C
T
j
T
英镑
等级
35
30
5
800
-800
625
150
-55 150
单位
V
V
V
mA
L
K
D
E
G
H
F
F
1
2
3
mA
mW
M
C
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
MILLIMETERS
4.70 MAX
4.80 MAX
3.70 MAX
0.45
1.00
1.27
0.85
0.45
_
14.00 + 0.50
0.55最大
2.30
0.45最大
1.00
J
1.发射器
2.基
3.收集
TO-92
电气特性( TA = 25 )
特征
集电极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
注:H
FE
( 1 )分类
C : 100 200,
D : 150
符号
I
CBO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
h
FE
(1)(注)
h
FE
(2)
V
CE ( SAT )
V
BE
f
T
C
ob
300
测试条件
V
CB
= 15V ,我
E
=0
I
C
= 0.5毫安,我
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
V
CE
= 1V ,我
C
=50mA
V
CE
= 1V ,我
C
=350mA
I
C
= 500毫安,我
B
=20mA
V
CE
= 1V ,我
C
=500mA
V
CE
= 5V ,我
C
=10mA
V
CB
= 10V , F = 1MHz时,我
E
=0
分钟。
-
35
30
100
60
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
120
13
马克斯。
50
-
-
300
-
0.5
1.2
-
-
V
V
兆赫
pF
单位
nA
V
V
1999. 11. 30
版本号: 3
1/2