半导体
技术参数
一般工业用途。
切换应用程序。
B
KTC9012
外延平面PNP晶体管
C
特点
·补充
到KTC9013 。
N
K
D
G
E
A
¡优秀
h
FE
线性度。
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
发射极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
*铜引线框架： 625mW
铁引线框架：为400mW
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
E
P
C
*
T
j
T
英镑
等级
-40
-30
-5
-500
500
625
mW
400
150
-55�½�150
℃
℃
单位
V
V
M
H
F
F
V
mA
mA
L
1
2
3
C
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
MILLIMETERS
4.70 MAX
4.80 MAX
3.70 MAX
0.45
1.00
1.27
0.85
0.45
_
14.00 + 0.50
0.55最大
2.30
0.45最大
1.00
J
1.发射器
2.基
3.收集
TO-92
电气特性（Ta = 25℃）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
注：H
FE
Classification D:64�½�91,
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
（注）
V
CE （ SAT ）
V
BE
f
T
C
ob
E:78�½�112,
测试条件
V
CB
= -35V ，我
E
=0
V
EB
= -5V ，我
C
=0
V
CE
= -1V ，我
C
=-50mA
I
C
= -100mA ，我
B
=-10mA
I
C
= -100mA ，V
CE
=-1V
V
CB
= -6V ，我
C
= -20mA ， F = 100MHz的
V
CB
= -6V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
G:118�½�166,
H:144�½�202,
150
-
I:176�½�246
分钟。
-
-
64
-
典型值。
-
-
-
-0.1
-0.8
-
7.0
马克斯。
-0.1
-0.1
246
-0.25
-1.0
-
-
V
V
兆赫
pF
单位
μ
A
μ
A
F:96�½�135,
2010. 6. 25
版本号： 2
1/1
KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]
