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    KTD2092 参数 Datasheet PDF下载

    KTD2092图片预览
    型号： KTD2092
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 外延平面NPN晶体管 [EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 2 页 / 455 K
    品牌： KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]
     浏览型号KTD2092的Datasheet PDF文件第2页  
    半导体
    技术参数
    切换应用程序。
    接口电路和驱动电路应用。
    A
    KTD2092
    外延平面NPN晶体管
    C
    高ħ
    FE
    : h
    FE
    =500 1500 (I
    C
    =0.5A).
    低集电极饱和： V
    CE （ SAT ）
    = 0.35V （最大值） （我
    C
    =1A).
    E
    G
    B
    P
    特点
    S
    暗淡
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    G
    H
    J
    K
    L
    M
    N
    P
    Q
    R
    H
    S
    K
    L
    L
    R
    最大额定值（ TA = 25
    特征
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    DC
    集电极电流
    脉冲
    基极电流
    集电极电源
    耗散
    结温
    存储温度范围
    Ta=25
    Tc=25
    )
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    I
    B
    P
    C
    25
    T
    j
    T
    英镑
    150
    -55 150
    等级
    100
    80
    7
    3
    A
    5
    1
    2
    W
    A
    单位
    V
    V
    V
    1
    2
    3
    N
    N
    D
    M
    D
    J
    MILLIMETERS
    _
    10.0 + 0.3
    _ 0.3
    15.0 +
    _
    2.70 + 0.3
    0.76+0.09/-0.05
    _
    Φ3.2
    + 0.2
    _
    3.0 + 0.3
    _
    12.0 + 0.3
    0.5+0.1/-0.05
    _
    13.6 + 0.5
    _
    3.7 + 0.2
    1.2+0.25/-0.1
    1.5+0.25/-0.1
    _
    2.54 + 0.1
    _
    6.8 + 0.1
    _
    4.5 + 0.2
    _
    2.6 + 0.2
    0.5 TYP
    F
    Q
    1.基地
    2.收集
    3.辐射源
    TO-220IS
    等效电路
    集热器
    BASE
    辐射源
    电气特性（ TA = 25 ）
    特征
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    集电极 - 发射极击穿电压
    直流电流增益
    h
    FE
    (2)
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    集电极 - 发射极正向电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    开启时间
    开关时间
    贮存时间
    下降时间
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    V
    ECF
    f
    T
    C
    ob
    t
    on
    T
    英镑
    t
    f
    I
    B1
    0
    I
    B2
    I
    B2
    符号
    I
    CBO
    I
    EBO
    V
    （ BR ） CEO
    h
    FE
    (1)
    测试条件
    V
    CB
    = 80V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = 7V ，我
    C
    =0
    I
    C
    = 50mA时我
    B
    =0
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    =0.5A
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    =1A
    I
    C
    = 1A ，我
    B
    =0.01A
    I
    C
    = 1A ，我
    B
    =0.01A
    I
    E
    = 3A ，我
    B
    =0
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    =1A
    V
    CE
    = 10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    产量
    20µsec
    30Ω
    输入
    I
    B1
    分钟。
    -
    -
    80
    500
    150
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    140
    30
    0.5
    5.0
    0.7
    马克斯。
    10
    10
    -
    1500
    -
    0.35
    1.2
    2.5
    -
    -
    -
    -
    -
    单位
    A
    A
    V
    V
    V
    V
    兆赫
    pF
    S
    I
    B1
    =-I
    B2
    =10mA
    占空比< 1 ％
    V
    CC
    =30V
    2007. 5. 22
    版本号： 3
    1/2

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