KTK5132E 参数 Datasheet PDF下载

型号：	KTK5132E
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内容描述：	N沟道MOS场效应晶体管（超高速开关，模拟开关） [N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR (ULTRA-HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCH)]
分类和应用：	晶体开关晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	3 页 / 430 K
品牌：	KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]

半导体

技术参数

超高速开关应用

模拟开关应用

特点

・2.5

栅极驱动。

ULOW

阈值电压： V

=0.5�½�1.5V.

高¡

速度。

小

封装。

·增强模式。

KTK5132E

N沟道MOS场

场效应晶体管

暗淡

MILLIMETERS

1.60 + 0.10

0.85 + 0.10

0.70 + 0.10

0.27+0.10/-0.05

1.60 + 0.10

1.00 + 0.10

0.50

0.13 + 0.05

最大额定值（ TA = 25 ℃ ）

特征

漏源电压

栅源电压

直流漏电流

漏极功耗

通道温度

存储温度范围

符号

GSS

英镑

等级

±20

100

150

-55�½�150

单位

℃

1.源

2.门

3.排水

ESM

等效电路

记号

型号名称

该晶体管静电敏感器件。

请谨慎操作。

电气特性（Ta = 25℃）

特征

栅极漏电流

漏源击穿电压

排水截止电流

栅极阈值电压

正向转移导纳

漏源导通电阻

输入电容

反向传输电容

输出电容

开关时间

开启时间

打开-O FF时间

符号

GSS

（ BR ） DSS

DSS

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

关闭

测试条件

=±16V, V

=0V

=100μ V

=0V

=30V, V

=0V

= 3V ，我

=0.1mA

= 3V ，我

=10mA

= 10毫安，V

=2.5V

=3V, V

= 0V ， F = 1MHz的

=3V, V

= 0V ， F = 1MHz的

=3V, V

= 0V ， F = 1MHz的

= 5V ，我

= 10毫安，V

=0�½�5V

分钟。

0.5

典型值。

8.5

3.3

9.3

180

马克斯。

±1

1.5

单位

Ω

2002. 6. 17

版本号： 0

1/3

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