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    KTN2369A 参数 Datasheet PDF下载

    KTN2369A图片预览
    型号： KTN2369A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 外延平面NPN晶体管 [EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管开关局域网
    文件页数/大小： 2 页 / 312 K
    品牌： KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]
     浏览型号KTN2369A的Datasheet PDF文件第2页  
    半导体
    技术参数
    高速开关应用。
    特点
    高¡
    频率特性
    : f
    T
    = 500MHz的（最小）（V
    CE
    = 10V ， F = 100MHz时，我
    C
    =10mA).
    ¡优秀
    开关特性。
    ・KTN2369/2369A
    电类似于2N2369 / 2369A 。
    B
    KTN2369/A
    外延平面NPN晶体管
    C
    A
    N
    K
    D
    E
    G
    最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
    特征
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极耗散功率
    (Ta=25℃)
    结温
    存储温度范围
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    等级
    40
    15
    4.5
    500
    625
    150
    -55�½�150
    单位
    V
    V
    L
    H
    F
    F
    V
    mA
    mW
    ℃
    ℃
    1
    2
    3
    M
    C
    暗淡
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    G
    H
    J
    K
    L
    M
    N
    MILLIMETERS
    4.70 MAX
    4.80 MAX
    3.70 MAX
    0.45
    1.00
    1.27
    0.85
    0.45
    _
    14.00 + 0.50
    0.55最大
    2.30
    0.45最大
    1.00
    J
    1.发射器
    2.基
    3.收集
    TO-92
    电气特性（Ta = 25℃）
    特征
    集电极截止电流
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压*
    发射极 - 基极击穿电压
    KTN2369/A
    KTN2369
    直流电流增益
    KTN2369A
    KTN2369
    KTN2369A
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    贮存时间
    开启时间
    打开-O FF时间
    *
    *
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    t
    英镑
    t
    on
    t
    关闭
    h
    FE
    符号
    I
    CBO
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    测试条件
    V
    CB
    = 20V ，我
    E
    =0
    V
    CB
    = 20V ，我
    E
    = 0 ，TA = 125 ℃
    I
    C
    =10μ I
    E
    =0
    A,
    I
    E
    = 10毫安，我
    B
    =0
    I
    E
    =10μ I
    C
    =0
    A,
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    =1.0V
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    = 1.0V ，TA = -55 ℃
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    = 0.35V ，TA = -55 ℃
    I
    C
    = 100mA时V
    CE
    =2.0V
    I
    C
    = 100mA时V
    CE
    =1.0V
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    =1.0mA
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    =1.0mA
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    = 10V ， F = 100MHz的
    V
    CB
    = 5.0V ，我
    E
    = 0 ， F = 1.0MHz的
    I
    C
    = 100mA时我
    B1
    =-I
    B2
    = 10毫安，V
    CC
    =10V
    V
    CC
    = 3.0V ，我
    C
    =10mA,
    I
    B1
    = 3.0毫安，我
    B2
    =-1.5mA
    I
    C
    = 10毫安，我
    B1
    =3.0mA
    I
    B2
    = -1.5mA ，V
    CC
    =3.0V
    分钟。
    -
    -
    40
    15
    4.5
    40
    20
    20
    20
    20
    -
    0.70
    500
    -
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    马克斯。
    0.4
    30
    -
    -
    -
    120
    -
    -
    -
    -
    0.25
    0.85
    -
    4.0
    13
    12
    15
    nS
    V
    V
    兆赫
    pF
    V
    单位
    μ
    A
    *脉冲测试：脉冲宽度≦300μ占空比≦ 2 ％ 。
    S,
    2002. 6. 17
    版本号： 3
    1/2

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