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    MJD112 参数 Datasheet PDF下载

    MJD112图片预览
    型号： MJD112
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 外延平面NPN晶体管（单片式结构，在基极 - 发射极分流电阻工业用途。 ） [EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 2 页 / 397 K
    品牌： KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]
     浏览型号MJD112的Datasheet PDF文件第2页  
    半导体
    技术参数
    整体结构与内置的
    基极发射极分流电阻工业用途。
    A
    MJD112/L
    外延平面NPN晶体管
    I
    J
    特点
    高直流电流增益。
    : h
    FE
    =1000(Min.),
    V
    CE
    = 4V ，我
    C
    =1A.
    低集电极 - 发射极饱和电压。
    Q
    C
    K
    补充MJD117 / L 。
    H
    E
    M
    直导线（ IPAK ， "L"后缀）
    P
    F
    1
    2
    F
    3
    L
    最大额定值（ TA = 25
    特征
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    基极电流
    集电极电源
    耗散
    结温
    存储温度范围
    DC
    脉冲
    DC
    Ta=25
    Tc=25
    )
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    B
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    等级
    100
    100
    5
    2
    4
    50
    1.0
    20
    150
    Q
    单位
    V
    V
    V
    A
    mA
    W
    DPAK
    1.基地
    2.收集
    3.辐射源
    暗淡
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    H
    I
    J
    K
    L
    M
    O
    P
    Q
    MILLIMETERS
    _
    6.60 + 0.2
    _
    6.10 + 0.2
    _
    5.0 + 0.2
    _
    1.10 + 0.2
    _
    2.70 + 0.2
    _
    2.30 + 0.1
    1.00最大
    _
    2.30 + 0.2
    _
    0.5 + 0.1
    _
    2.00 + 0.20
    _
    0.50 + 0.10
    _
    0.91+ 0.10
    _
    0.90 + 0.1
    _
    1.00 + 0.10
    0.95最大
    B
    D
    A
    C
    I
    J
    D
    O
    -55 150
    H
    G
    P
    C
    B
    F
    F
    L
    1
    2
    3
    暗淡
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    G
    H
    I
    J
    K
    L
    P
    Q
    MILLIMETERS
    _
    6.60
    +
    0.2
    _
    6.10
    +
    0.2
    _
    5.0
    +
    0.2
    _
    1.10
    +
    0.2
    _
    9.50
    +
    0.6
    _
    2.30
    +
    0.1
    _
    0.76
    +
    0.1
    1.0 MAX
    _
    2.30
    +
    0.2
    _
    0.5
    +
    0.1
    _
    2.0
    +
    0.2
    _
    0.50
    +
    0.1
    _
    1.0
    +
    0.1
    0.90最大
    K
    1.基地
    2.收集
    3.辐射源
    R
    1
    =
    10kΩ
    R
    2
    =
    0.6kΩ
    E
    E
    B
    IPAK
    电气特性（ TA = 25 ）
    特征
    集电极 - 发射极电压维持
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极电压上
    电流增益带宽积
    集电极输出电容
    符号
    V
    CEO （ SUS ）
    I
    首席执行官
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    f
    T
    C
    ob
    测试条件
    I
    C
    = 30mA时我
    B
    =0
    V
    CE
    = 50V ，我
    B
    =0
    V
    CB
    = 100V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = 5V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 3V ，我
    C
    =0.5A
    V
    CE
    = 3V ，我
    C
    =2A
    I
    C
    = 2A ，我
    B
    =8mA
    V
    CE
    = 3V ，我
    C
    =2A
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    = 0.75A ， F = 1MHz的
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    = 0中，f =为0.1MHz
    分钟。
    100
    -
    -
    -
    500
    1,000
    -
    -
    25
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    12,000
    -
    -
    -
    -
    马克斯。
    -
    20
    20
    2
    -
    -
    2.0
    2.8
    -
    100
    V
    V
    兆赫
    pF
    单位
    V
    A
    mA
    2003. 3. 27
    版本号： 4
    1/2

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