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MMBTA63 参数 Datasheet PDF下载

MMBTA63图片预览
型号: MMBTA63
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内容描述: 外延平面PNP晶体管 [EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 2 页 / 39 K
品牌: KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]
 浏览型号MMBTA63的Datasheet PDF文件第2页  
半导体
技术参数
一般工业用途。
达林顿晶体管。
MMBTA63/64
外延平面PNP晶体管
L
E
B
L
A
G
最大额定值( TA = 25
特征
集电极 - 基
电压
集电极 - 发射极
电压
发射极 - 基极电压
DC
集电极电流
脉冲
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
)
符号
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
*
T
j
T
英镑
等级
-30
-30
-10
-500
-1
350
150
-55 150
单位
V
2
3
1
MMBTA63/64
MMBTA63/64
P
P
C
V
V
mA
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
MILLIMETERS
_
2.93 + 0.20
1.30+0.20/-0.15
1.30最大
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
1.90
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
7
N
H
M
1.发射器
A
mW
2.基
3.收集
K
SOT-23
* :包安装在99.5 %,氧化铝10 8
0.6mm.
电气特性( TA = 25 )
特征
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
MMBTA63
MMBTA64
直流电流增益
MMBTA63
MMBTA64
集电极 - 发射极
饱和电压
基极发射极
电压
电流增益
带宽产品
MMBTA63/64
MMBTA63/64
MMBTA63/64
h
FE
(2)
V
CE ( SAT )
V
BE
f
T
I
C
= -100mA ,V
CE
=-5V
I
C
= -100mA ,我
B
=-0.1mA
I
C
= -100mA ,V
CE
=-5V
I
C
= -10mA , F = 100MHz的
V
CE
=-5V
10,000
20,000
-
-
125
-
-
-
-
-
-
-
-1.5
-2.0
-
V
V
兆赫
符号
V
( BR ) CES
I
CBO
I
EBO
h
FE
(1)
测试条件
I
C
= -0.1mA ,我
B
=0
V
CB
= -30V ,我
E
=0
V
EB
= -10V ,我
C
=0
I
C
= -10mA ,V
CE
=-5V
分钟。
-30
-
-
5,000
10,000
典型值。
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-0.1
-0.1
-
-
单位
V
A
A
*脉冲测试:脉冲宽度300秒,占空比2.0 %
MARK SPEC
TYPE
标志
MMBTA63
AGX
MMBTA64
AFX
记号
LOT号
型号名称
一个X
2008. 8. 29
版本号: 5
J
D
1/2