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MMBTA44 参数 Datasheet PDF下载

MMBTA44图片预览
型号: MMBTA44
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内容描述: 外延平面NPN晶体管 [EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管IOT局域网
文件页数/大小: 2 页 / 319 K
品牌: KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]
 浏览型号MMBTA44的Datasheet PDF文件第2页  
半导体
技术参数
高电压应用。
特点
高击穿电压。
集电极耗散功率:P
C
=350mW.
MMBTA44
外延平面NPN晶体管
最大额定值( TA = 25
特征
集电极 - BaseVoltage
集电极 - EmitterVoltage
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
*
T
j
T
英镑
等级
450
400
6
300
350
150
-55
0.6mm.
150
单位
V
V
V
mA
mW
* :包安装在99.5 %,氧化铝10 8
电气特性( TA = 25 )
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压( 2 )
发射极 - 基极击穿电压
收藏家切断电流
收藏家切断电流
发射Cuto FF电流
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CES
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
CES
I
EBO
测试条件
I
C
= 100 A,I
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
C
= 100 A,I
B
=0
I
E
= 10 A,I
C
=0
V
CB
= 400V ,我
E
=0
V
CE
= 400V ,我
B
=0
V
EB
= 4V ,我
C
=0
V
CE
= 10V ,我
C
=1mA
直流电流增益
*
h
FE
V
CE
= 10V ,我
C
=10mA
V
CE
= 10V ,我
C
=50mA
V
CE
= 10V ,我
C
=100mA
V
CE ( SAT )
1
集电极 - 发射极饱和电压*
V
CE ( SAT )
2
V
CE ( SAT )
3
基射极饱和电压*
跃迁频率
集电极输出电容
输入电容
*脉冲测试:脉冲宽度300秒,占空比2.0 %
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
C
ib
I
C
= 1mA时,我
B
=0.1mA
I
C
= 10毫安,我
B
=1mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
I
C
= 10毫安,我
B
=1mA
V
CE
= 10V ,我
C
= 10毫安, F = 10MHz时
V
CB
= 20V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
V
EB
= 0.5V ,我
C
= 0中,f = 1MHz的
分钟。
450
400
450
6.0
-
-
-
40
50
45
40
-
-
-
-
20
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-
100
500
100
-
200
-
-
0.4
0.5
0.75
0.75
-
7
130
V
兆赫
pF
pF
V
单位
V
V
V
V
nA
nA
nA
2008. 3. 10
版本号: 2
1/2