应用笔记多层
陶瓷电容器
在较高的AC电压，两者的电容和耗散因数
开始降低。
典型的曲线示出施加的AC和DC的效果
电压示于图6是KEMET X7R电容器和
图7为KEMET Z5U电容器。
影响频率：
频率会影响电容器
tance和耗散因数。为KEMET多的典型曲线
层陶瓷电容器示于图8和图9 。
同频率的阻抗的变化是一个祁门功夫，功夫
在多层陶瓷中的应用坦考虑
电容器。电容器的总阻抗是的矢量
容抗，感抗和等效串联电阻，如
在图2中示出当频率增加时，电容
电抗减小。然而，串联电感（ L）的
在图1中所示产生的感抗，从而
增加了与频率。在一些频率下，阻抗
不再是电容性和电感性变。这一点，在
V形阻抗对频率的底
曲线，是自谐振频率。在自谐振频
昆西，电抗是零，并且所述阻抗由
ESR的唯一。
典型的阻抗与频率的关系曲线KEMET
多层陶瓷电容器分别示于图10 ，图11，和
12.这些曲线适用于KEMET电容在芯片的形式，与 -
出线索。铅配置和引线的长度有显著
上的串联电感的影响。引线电感是
大约10nH到/英寸，相对于它是大
电感的芯片。这个附加电感的影响
是减少在自谐振频率，并增加
在上述的电感性阻抗区域自谐振
频率。
作用时间：
II类和III的电容
电介质与时间，以及改变为与温度，电压
年龄和频率。这随时间变化的被称为“老化”。
它是由晶体结构的渐进重组
陶瓷介电材料，因为它是冷却到低于它的居里
温度，从而产生静电电容的损耗与时间。
衰老的过程是可以预测的，并遵循对数
腐烂。典型的老龄化率C0G ， X7R ， Z5U和电介质
如下：
C0G
X7R
Z5U
温度效应：
这两个电容和耗散
化因子受温度变化。该MAX-
imum电容随温度的变化是由定义
温度特性。但是，这仅限定一个“盒子”
由上，较低的工作温度范围内，并
最小和最大电容值。在这
“盒子” ，随温度的变化取决于出特殊
cific介质配方。为KEMET电容的典型曲线
器显示在图3 ，图4和5，这些图也
包括损耗因数的典型改变为KEMET
电容器。
随着温度的绝缘电阻下降。
通常情况下，以最大的绝缘电阻在额定temper-
ATURE是在25℃下的值的10％。
影响电压：
I类陶瓷电容不
受的变化施加的AC或DC电压。类
II和III的陶瓷电容，不同的电压只会影响
电容和损耗因数。 DC的应用
电压高于5伏直流高降低了该电容与
耗散因子。 AC应用电压高达10-20
真空趋于增加两个电容和损耗因数。
无
每时间十年2.0％
每一次的十年5.0 ％
为X7R和Z5U电介质老化的典型曲线
在图13中所示。
衰老的过程是可逆的。如果电容器是耐热
编到高于其居里点的温度下进行一段时间的
时间，会出现去老化和电容将重拾
在老化过程中电容量丢失。 DE-的量
衰老依赖于升高的温度下和两
的时间长度，在该温度下。暴露于150℃的单
半小时或125 ℃下两小时通常是足够的，返回
电容器到其初始值。
因为电容迅速，立即改变
去老化后，电容测量通常延迟
为至少10小时的去老化过程之后，这常常是
被称为“最后的热量。 ”此外，制造商利用
老化速率设置出厂测试极限，将带来
在规定的公差范围内的电容在某个将来的时间，
以允许用户接受和使用。通常情况下，测试极限
被调整以使所述电容将是在规定的
公差任千小时或100天，这取决于
生产商和产品类型。
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应用笔记
KEMET [ KEMET CORPORATION ]
