IRF2807LPBF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF2807LPBF
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内容描述：	先进的工艺技术超低导通电阻 [Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance]
分类和应用：
文件页数/大小：	10 页 / 4246 K
品牌：	KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]

www.kersemi.com

先进的工艺技术

超低导通电阻

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

全额定雪崩

LEAD -FREE

描述

IRF2807SPbF

IRF2807LPbF

HEXFET

功率MOSFET

DSS

= 75V

DS （ ON）

= 13mΩ

先进的HEXFET

从国际的功率MOSFET

整流器采用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，

结合快速开关速度和加固

设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好

众所周知，为设计者提供了一个非常有效的

和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。

= 82A

对D

白是一种表面贴装功率封装能力

泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了最高

功率能力和尽可能低的导通电阻，在任何

现有的表面贴装封装。对D

白是适合

由于其低的内部连接的高电流的应用

性和可耗散高达2.0W在一个典型的表面

安装应用程序。

通孔版（ IRF2807L ）可用于低

配置文件的应用程序。

PAK

IRF2807SPbF

TO-262

IRF2807LPbF

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3 srew

马克斯。

280

230

1.5

± 20

5.9

-55〜 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅•在（ 1.1N •m）的

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热阻

参数

θJC

θJA

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装） **

典型值。

–––

马克斯。

0.75

单位

° C / W

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