汽车级
PD - 97597A
AUIRFR4105
HEXFET
®
功率MOSFET
特点
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高级平面技术
低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
重复性雪崩允许
达toTjmax
无铅，符合RoHS
汽车合格*
D
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
马克斯。
I
D（硅有限公司）
55V
45mΩ
27A
20A
G
S
I
D（包装有限公司）
g
D
S
G
描述
专为汽车应用，
HEXFET功率MOSFET的这种蜂窝设计
采用最新的加工技术，以实现
低导通电阻每硅片面积。这样做的好处
结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率
MOSFET是众所周知的，为设计者提供
用一个非常有效和可靠的装置，用于使用
在汽车和各种其他应用程序。
D- PAK
AUIRFR4105
G
D
S
门
漏
来源
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些
只是应力额定值;并且该设备在这些或超出在标明的任何其他条件的功能操作
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件
可靠性。热电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V （包装有限公司）
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度， 10秒（从案例1.6毫米）
马克斯。
27
19
20
100
68
0.45
± 20
65
16
6.8
5.0
-55〜 + 175
300
g
单位
A
Ã
d
e
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装） **
结到环境
h
参数
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
2.2
50
110
单位
° C / W
www.kersemi.com
1
07/05/11
KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]
